Најново од Енаука.мк
Хафниумовиот оксид потврден како редок антифероелектричен материјал
Истражувачи потврдија дека хафниумовиот оксид е природно антифероелектричен, а неговото својство останува стабилно и во слоеви дебели само 0,6 нанометри. Откритието отвора можности за поефикасна меморија, кондензатори и компактни системи за ладење.
