Истражувачи од Institute of Science Tokyo развија експериментален мемориски уред со големина од само 25 нанометри, кој покажува необично својство: наместо да губи ефикасност при минијатуризација, неговите перформанси се подобруваат.
Откритието е важно затоа што меморијата и електронските кола се меѓу причините поради кои телефоните, лаптопите и носливите уреди трошат енергија и се загреваат. Во дигиталната меморија информациите се зачувуваат како нули и единици преку контрола на протокот на електрична струја. Ако таа контрола бара помалку енергија, уредите може да работат подолго и со помалку топлина.
Тимот работел на фероелектричен тунелен спој, тип меморија предложен уште во 1971 година. Кај овој пристап, материјалот има електрична поларизација што може да се менува, а промената влијае врз тоа колку лесно поминува струјата. Така се добиваат две стабилни состојби погодни за складирање податоци.
Клучниот материјал е хафниум оксид, кој во последната деценија се покажа како особено важен за нанометарска електроника. За разлика од дел од постарите материјали, тој може да ја задржи фероелектричната поларизација и кога слојот е исклучително тенок, што го прави привлечен за идни мемориски технологии.
Главниот проблем при вакво смалување е истекувањето на струја низ границите меѓу ситните кристални зрна во материјалот. Наместо да се обидат само да го ограничат овој ефект, истражувачите го промениле обликот и размерот на уредот. Со загревање на електродите тие добиле полукружна структура што повеќе личи на единечен кристал и има помалку места каде што може да се појави загуба.
Резултатот е мемориска единица што ја оспорува вообичаената претпоставка дека понатамошното смалување неизбежно носи поголеми загуби. Во овој случај, екстремната минијатуризација помогнала да се намали влијанието на кристалните граници и да се подобри работата на уредот.
Ако технологијата се развие до индустриска примена, таа би можела да помогне кај паметни часовници, сензорски мрежи и мобилни уреди што бараат подолга автономија. Потенцијално значење има и за системи за вештачка интелигенција, каде што брзата и енергетски ефикасна меморија е сè поважна. Дополнителна предност е тоа што хафниум оксидот веќе е познат во производството на полупроводници, што може да го олесни идното интегрирање.
