Научници предводени од Универзитетот Монаш директно снимија ситни тополошки структури во полупроводник дебел само неколку атоми. Станува збор за мерони и антимерони — наноразмерни „вртлози“ на електричната поларизација.
Истражувачите поставиле две атомски тенки слоеви од волфрамов диселенид (WSe₂) и ги завртеле за само 0,1 степен. Со тоа се создава повторлив образец познат како Мојреова суперрешетка, составена од области со различно распоредување на атомите.
Користејќи микроскопија со пиезоодговорна сила со висока резолуција, тимот ја мапирал поларизацијата во материјалот и открил мрежа од мерони и антимерони. Теоретските пресметки и големите симулации го потврдиле кружното движење и тополошките својства очекувани кај овие структури.
Методот овозможил и раздвојување на ефектите од извртувањето на слоевите и механичкото напрегање. Тоа е важно за идното контролирање на поларизациските обрасци во дводимензионалните материјали.
Тополошките поларни структури досега главно се проучувале во подебели оксидни материјали. Нивното набљудување во атомски тенок полупроводник отвора можност за развој на ултратенки и енергетски ефикасни електронски уреди, чии состојби би можеле да се управуваат со електрични полиња, напрегање или специјално изработени подлоги.
