Научници развива метод за создавање големи оксидни материјали со извртенa структура, при што прецизно го контролираат аголот меѓу нивните кристални слоеви. Ова може да помогне твистрониката да премине од лабораториски концепт кон практична платформа за електронски уреди.
Твистрониката се потпира на ротирање на еден атомски тенок слој во однос на друг. Таквата промена може значително да ги измени електронските својства на материјалот. Досега истражувањата главно се фокусираа на 2Д-материјали поврзани со слаби ван дер Валсови сили.
Тимот од Државниот универзитет во Северна Каролина демонстрирал поинаков пристап со кристални мембрани од натриум ниобат (NaNbO₃). Истражувачите поставиле визуелни маркери околу мембраните, а потоа една мембрана ја пренеле врз друга и го наместиле саканиот агол на ротација според порамнувањето на маркерите.
Со внимателно загревање, познато како жарење, меѓу слоевите се создале силни хемиски врски. Анализата со синхротронска дифракција на Х-зраци покажала дека овие врски не ги држат слоевите само механички, туку ја менуваат и нивната атомска структура.
На границата меѓу слоевите кристалната решетка постепено се ротира, а се забележани и промени во фазната структура на материјалот. Сè уште не е целосно утврдено како овие промени ќе влијаат врз електронските и физичките својства, но тие би можеле да понудат нови начини за прилагодување на материјалите според конкретни примени.
Важна предност на методот е неговата големина: оксидните мембрани може да се изработуваат на големи површини и да се пренесуваат на различни подлоги. Истражувачите сметаат дека истиот пристап би можел да се примени и кај други сложени оксидни материјали.
Студијата, објавена во списанието ACS Nano, ја претставува техниката како можна основа за развој на оксидна твистроника и електроника со својства што се контролираат преку геометријата и структурата на слоевите.
